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30V N 沟道沟槽 MOSFET，SOT-23，4A，10V 时最大 RDS（on）52m 欧姆，Qg 10nC，栅极驱动电压 2.5V，-55C 至 +150 C。.

品牌:

封装:

SOT-23（2.9 x 1.6 x 1.25 毫米）

14066 件

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30V N 沟道 MOSFET、24A、20mOhm@10V、9.8nC Qg、DFN 3×3 EP、DC-DC/负载开关

品牌:

封装:

DFN 3x3A-8L EP（3.0 x 3.0 x 0.78 毫米，0.65 毫米间距，裸焊盘）

3538320 件

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